Porcelana Microprocesador del circuito integrado

MOSFET del poder del canal N del carburo de silicio del microprocesador MSC015SMA070S 700V del circuito integrado

Número de parte:MSC015SMA070S

Polaridad del transistor:Canal N

Número de canales:1 canal
Canal N 700V del chip CI MSC015SMA070B a través de los transistores del agujero TO-247-3

Número de parte:MSC015SMA070B

Tipo del FET:Canal N

Voltaje de la impulsión:20V
TO-247-3 a través de los transistores de la parada de campo del foso del agujero IKQ120N120CS7XKSA1 IGBT

número de parte:IKQ120N120CS7XKSA1

Tipo de IGBT:Parada de trinchera

Situación del producto:Activo
Parada de campo de alta velocidad del foso de los transistores IKQ100N120CH7XKSA1 IGBT de 1200V 166A

número de parte:IKQ100N120CH7XKSA1

Serie:TrenchStop™

Energía que cambia:6.7mJ (encendido), 2.52mJ (apagado)
Los ICs saltan los transistores 1200V 36A 176W de IKW15N120CS7XKSA1 IGBT a través del agujero PG-TO247-3

Número de parte:IKW15N120CS7XKSA1

Voltaje VCEO del emisor del colector máximo:1,2 kV

Voltaje de saturación del Colector-emisor:1,65 V
Del circuito integrado solos IGBT transistores TO-247-3 del microprocesador IKW50N65ET7XKSA1

Número de parte:IKW50N65ET7XKSA1

Poder - máximo:273 W

Tiempo de recuperación reversa:93 ns
Transistores electrónicos de la parada de campo del foso de los circuitos integrados IKW30N65ET7XKSA1 IGBT

Número de parte:IKW30N65ET7XKSA1

VCE:650 V

Temperatura de almacenamiento:-55 - °C 150
parada de campo del foso de los transistores IKW40N120CS7XKSA1 357W IGBT de 1200V IGBT TO-247-3

Número de parte:IKW40N120CS7XKSA1

Voltaje máximo del emisor de la puerta:- 20 V, 20 V

Corriente de colector continua en 25 C:82 A
Microprocesador del circuito integrado de los transistores 650V 40A 136W IKW20N65ET7XKSA1 de IGBT

Número de parte:IKW20N65ET7XKSA1

TD (con./desc.) @ 25°C:16ns/210ns

Condición de prueba:400V, 20A, 12Ohm, 15V
Sola parada de campo del foso de los transistores IKW40N120CH7XKSA1 TO-247-3 IGBT de IGBTs 1200V

Número de parte:IKW40N120CH7XKSA1

IFpuls máximo:165A

Ptot (@ TA=25°C) máximo:330 W
Parada de campo del foso de IKY50N120CH7XKSA1 IGBT 1200 V 75 transistores de un IGBTs

Número de parte:IKY50N120CH7XKSA1

Voltaje - avería del emisor del colector:1200 V

Tipo entrado:Estándar
Microprocesador del circuito integrado de los transistores IKQ75N120CS7XKSA1 de la parada de campo del foso de IGBT

Número de parte:IKQ75N120CS7XKSA1

Voltaje máximo del emisor de la puerta:- 20 V, 20 V

Paquete:TO-247-3

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Sola parada de campo del foso de los transistores IKW40N120CH7XKSA1 TO-247-3 IGBT de IGBTs 1200V

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