Porcelana Módulos automotrices de IGBT

Módulos automotrices duales 50A 20mW del módulo FF23MR12W1M1B11BOMA1 IGBT de 1200V CoolSiC

Número de parte:FF23MR12W1M1B11BOMA1

Montaje del tipo:Montaje en chasis

Resistencia clasificada (TNTC = 25°C) tipo:kΩ 5,00
Soporte automotriz del chasis del arsenal 1200V del Mosfet de los módulos FS55MR12W1M1HB11NPSA1 de IGBT

Número de parte:FS55MR12W1M1HB11NPSA1

Tecnología:Carburo de silicio (sic)

Configuración:Canal N 6 (puente lleno)
Módulo automotriz del MOSFET 2N-Channel de los módulos FF6MR12KM1PHOSA1 1200V CoolSiC de IGBT

Número de parte:FF6MR12KM1PHOSA1

Nom de la identificación:250A

Tecnología:Carburo de silicio (sic)
Soporte trifásico del chasis del inversor 1200 V del módulo de FP75R12N3T7BPSA1 IGBT

Número de parte:FP75R12N3T7BPSA1

VCES:1200 V

Operación de la sobrecarga:175°C
módulo automotriz del arsenal del Mosfet de los módulos 1200V de 2N-Channel FF3MR12KM1HOSA1 IGBT

Número de parte:FF3MR12KM1HOSA1

Drene al voltaje de la fuente (Vdss):1200 V (1,2 kV)

Temperatura de funcionamiento (minuto):-40°C (TJ)
Soporte automotriz del chasis de los transistores de los módulos FP15R12KE3GBPSA1 1200V 25A de IGBT

Número de parte:FP15R12KE3GBPSA1

Resistencia de la ventaja del módulo:2.5mΩ

Temperatura de almacenamiento:-40 - °C 125
Puente automotriz del arsenal 1200V del Mosfet de los módulos FF2MR12KM1HOSA1 2N-Channel de IGBT medio

Número de parte:FP75R12N2T4BPSA1

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs:2.13mOhm @ 500A, 15V

Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds:39700pF @ 800V
Módulos de los transistores IGBT de la parada de campo del foso de FP75R12N2T7BPSA2 1200V 75A 20mW

Número de parte:FP75R12N2T7BPSA2

Voltaje VCEO del emisor del colector máximo:1200 V

Voltaje de saturación del Colector-emisor:1,55 V
Soporte automotriz del chasis de los transistores de los módulos de los módulos FS75R12KE3BPSA1 IGBT de IGBT

Número de parte:FS75R12KE3BPSA1

Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)

Montaje del tipo:Montaje en chasis
Soporte del chasis de la parada de campo del foso del módulo de FP75R12N2T4BPSA1 IGBT 1200V 75A

Número de parte:FP75R12N2T4BPSA1

Tipo de producto:Módulos de IGBT

Voltaje de saturación del Colector-emisor:1,85 V
módulos automotrices trifásicos del soporte FS150R12N2T7BPSA2 IGBT del chasis 20mW

Número de parte:FS150R12N2T7BPSA2

Voltaje - avería del emisor del colector:1200 V

Actual - atajo del colector:µA 1,2
Módulos trifásicos automotrices del silicio del inversor IGBT de los módulos FP100R12N2T7BPSA2 de IGBT

Número de parte:FP100R12N2T7BPSA2

Temperatura de funcionamiento mínima:- 40 C

Temperatura de funcionamiento máximo:+ 175C

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Módulos automotrices de IGBT

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módulos automotrices trifásicos del soporte FS150R12N2T7BPSA2 IGBT del chasis 20mW

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