Porcelana Módulos automotrices de IGBT

Módulo automotriz 1200V del puente de los módulos FF11MR12W1M1PB11BPSA1 11mΩ de IGBT medio

Número de parte:FF11MR12W1M1PB11BPSA1

Serie:CoolSiC™+

Tecnología:Carburo de silicio (sic)
Medios módulos automotrices del módulo 1200V IGBT del MOSFET del puente FF8MR12W2M1B11BOMA1 CoolSiC

Número de parte:FF8MR12W2M1B11BOMA1

IDRM:300a

Energía almacenada de COSS:µJ 264
FS3L200R10W3S7FB94BPSA1 módulos de tres niveles del soporte IGBT del chasis del inversor 950V 70A

Número de parte:FS3L200R10W3S7FB94BPSA1

Corriente ejecutada del dren:15A

Entrada:Estándar
medios módulos automotrices del módulo FF6MR12W2M1PB11BPSA1 1200V IGBT del puente 6mΩ

Número de parte:FF6MR12W2M1PB11BPSA1

voltaje de la Dren-fuente (Tvj = 25°C):1200V

Voltaje de la Puerta-fuente:-10 V/20 V
Transistores de los módulos del poder medio IGBT de FS300R17OE4B81BPSA1 1700V 300A 20mW

Número de parte:FS300R17OE4B81BPSA1

Voltaje - avería del emisor del colector:1700 V

Actual - colector:300 A
Módulos automotrices duales 50A 20mW del módulo FF23MR12W1M1B11BOMA1 IGBT de 1200V CoolSiC

Número de parte:FF23MR12W1M1B11BOMA1

Montaje del tipo:Montaje en chasis

Resistencia clasificada (TNTC = 25°C) tipo:kΩ 5,00
Soporte automotriz del chasis del arsenal 1200V del Mosfet de los módulos FS55MR12W1M1HB11NPSA1 de IGBT

Número de parte:FS55MR12W1M1HB11NPSA1

Tecnología:Carburo de silicio (sic)

Configuración:Canal N 6 (puente lleno)
Módulo automotriz del MOSFET 2N-Channel de los módulos FF6MR12KM1PHOSA1 1200V CoolSiC de IGBT

Número de parte:FF6MR12KM1PHOSA1

Nom de la identificación:250A

Tecnología:Carburo de silicio (sic)
Soporte trifásico del chasis del inversor 1200 V del módulo de FP75R12N3T7BPSA1 IGBT

Número de parte:FP75R12N3T7BPSA1

VCES:1200 V

Operación de la sobrecarga:175°C
módulo automotriz del arsenal del Mosfet de los módulos 1200V de 2N-Channel FF3MR12KM1HOSA1 IGBT

Número de parte:FF3MR12KM1HOSA1

Drene al voltaje de la fuente (Vdss):1200 V (1,2 kV)

Temperatura de funcionamiento (minuto):-40°C (TJ)
Soporte automotriz del chasis de los transistores de los módulos FP15R12KE3GBPSA1 1200V 25A de IGBT

Número de parte:FP15R12KE3GBPSA1

Resistencia de la ventaja del módulo:2.5mΩ

Temperatura de almacenamiento:-40 - °C 125
Puente automotriz del arsenal 1200V del Mosfet de los módulos FF2MR12KM1HOSA1 2N-Channel de IGBT medio

Número de parte:FP75R12N2T4BPSA1

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs:2.13mOhm @ 500A, 15V

Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds:39700pF @ 800V

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PEX8619-BA50BIG Ethernet IC de 16 vías y 16 puertos con interruptor PCI Express HSBGA-324 conmutador PCIe

Transmisores de transmisión de Ethernet PHY de alta velocidad