Porcelana Módulos automotrices de IGBT

inversor trifásico de la parada de campo del foso del módulo FP100R12N2T7B11BPSA1 de 1200V 100A IGBT

Número de parte:FP100R12N2T7B11BPSA1

Serie:EconoPIM™ 2

Tipo de IGBT:Parada de trinchera
carburo de silicio automotriz de los módulos 1200V de 2N-Channel FF6MR12W2M1B11BOMA1 IGBT

Número de parte:FF6MR12W2M1B11BOMA1

Montaje del tipo:Montaje en chasis

Temperatura de funcionamiento (minuto):-40°C (TJ)
módulo automotriz del MOSFET de los módulos FS45MR12W1M1B11BOMA1 20mW 6N-Channel de 25A IGBT

Número de parte:FS45MR12W1M1B11BOMA1

Drene al voltaje de la fuente (Vdss):1200 V (1,2 kV)

Configuración:Canal N 6 (puente trifásico)
Módulos automotrices del transistor de empalme del carburo de silicio DF17MR12W1M1HFB68BPSA1 IGBT

Número de parte:DF17MR12W1M1HFB68BPSA1

Tipo del FET:Canal N

Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C:45A (Tj)
Módulo automotriz del carburo de silicio de los módulos DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 2N-Channel de IGBT

Número de parte:DF8MR12W1M1HFB67BPSA1

Tecnología:Carburo de silicio (sic)

Drene al voltaje de la fuente (Vdss):1200V
módulo automotriz de los módulos 60A de los módulos DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 IGBT de 2000V IGBT

Número de parte:DF419MR20W3M1HFB11BPSA1

Voltaje de la prueba del aislamiento:3.2kV

Módulo perdido de la inductancia (tipo):14nH
MOSFET automotriz de CoolSiC del carburo de silicio de los módulos DF11MR12W1M1PB11BPSA1 1200V de IGBT

Número de parte:DF11MR12W1M1PB11BPSA1

Serie:EasyPACK™

Temperatura de funcionamiento (máxima):150°C (TJ)
módulos automotrices del MOSFET del carburo de silicio de los módulos DF23MR12W1M1B11BPSA1 de 20mW IGBT

Número de parte:DF23MR12W1M1B11BPSA1

VDSS:1200V

Nom de la identificación:25A
Módulos automotrices de los transistores IGBT de los módulos FF600R12ME4WB73BPSA1 600A de IGBT

Número de parte:FF600R12ME4WB73BPSA1

Capacitancia entrada (Cies) @ Vce:37 N-F @ 25 V

Entrada:Estándar
Módulos de los transistores IGBT del soporte FS150R12N2T7B15BPSA1 1200V 150A del chasis

Número de parte:FS150R12N2T7B15BPSA1

Actual - atajo del colector:µA 12

Temperatura de funcionamiento mínima:- 40 C
Módulos automotrices 20mW 2N-Channel del carburo de silicio DF23MR12W1M1PB11BPSA1 IGBT

Número de parte:DF23MR12W1M1PB11BPSA1

Tecnología:Carburo de silicio (sic)

Drene al voltaje de la fuente (Vdss):1200 V (1,2 kV)
Módulos automotrices FP200R12N3T7B11BPSA1 de IGBT 20 módulos del soporte IGBT del chasis del mW

Número de parte:FP200R12N3T7B11BPSA1

Poder - máximo:20 mW

VCEO máximo:1200 V

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Módulos automotrices de IGBT

Módulos trifásicos duales medios de Econo FF900R12ME7WB11BPSA1 PIM IGBT del poder

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 energía fotovoltaica del módulo 950V 70A de la fase IGBT

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MOSFET automotriz de CoolSiC del carburo de silicio de los módulos DF11MR12W1M1PB11BPSA1 1200V de IGBT

módulos automotrices del MOSFET del carburo de silicio de los módulos DF23MR12W1M1B11BPSA1 de 20mW IGBT

Módulos automotrices de los transistores IGBT de los módulos FF600R12ME4WB73BPSA1 600A de IGBT

Módulos de los transistores IGBT del soporte FS150R12N2T7B15BPSA1 1200V 150A del chasis

Módulos automotrices 20mW 2N-Channel del carburo de silicio DF23MR12W1M1PB11BPSA1 IGBT

Módulos automotrices FP200R12N3T7B11BPSA1 de IGBT 20 módulos del soporte IGBT del chasis del mW

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PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s de 6 carriles y 6 puertos PCI Express Gen 2 Switch PBGA-196

PEX8619-BA50BIG Ethernet IC de 16 vías y 16 puertos con interruptor PCI Express HSBGA-324 conmutador PCIe

Transmisores de transmisión de Ethernet PHY de alta velocidad