Porcelana Módulos automotrices de IGBT

Módulos automotrices 1200V 4N-Channel del arsenal F423MR12W1M1PB11BPSA1 IGBT del Mosfet

Número de parte:F423MR12W1M1PB11BPSA1

Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C:50A

IDRM:100A
Módulos automotrices del inversor lleno IGBT del puente de la parada de campo del foso FS50R12N2T7B15BPSA2

Número de parte:FS50R12N2T7B15BPSA2

Capacitancia entrada (Cies) @ Vce:N-F 11,1 @ 25 V

Índice termal relativo:140 ºC
Módulo automotriz del carburo de silicio de los módulos FF2MR12W3M1HB11BPSA1 de IGBT 4N-Channel

Número de parte:FF2MR12W3M1HB11BPSA1

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs:2.27mOhm @ 400A, 18V

Paquete del dispositivo del proveedor:AG-EASY3B
Módulo automotriz de la parada de campo del foso del módulo de los módulos FP50R12KT4B11BPSA1 IGBT de IGBT

Número de parte:FP50R12KT4B11BPSA1

Nom de IC:225 A

ICRM:450 A
Foso automotriz 2Independent de los módulos 20mW del módulo FF23MR12W1M1PB11BPSA1 IGBT de IGBT

Número de parte:FF23MR12W1M1PB11BPSA1

Tipo de IGBT:Foso

Configuración:2 independiente
Módulos discretos automotrices del semiconductor IGBT de los módulos FP25R12KT4B11BPSA1 de IGBT

Número de parte:FP25R12KT4B11BPSA1

VCEO:1200 V

Paladio - disipación de poder:160 W
Módulos automotrices del inversor IGBT del puente de los módulos FF750R17ME7DB11BPSA1 de IGBT medios

Número de parte:FF750R17ME7DB11BPSA1

Resistencia clasificada:kΩ 5

Desviación de R100:-5- 5%
Los módulos automotrices FF45MR12W1M1B11BOMA1 de IGBT se doblan módulo del MOSFET de 1200V CoolSiC

Número de parte:FF45MR12W1M1B11BOMA1

Corriente del dren de DC:25A

Voltaje del umbral de la puerta (tipo):4.5V
Puente de la parada de campo del foso del módulo de FF225R17ME7B11BPSA1 1700V 225A IGBT medio

Número de parte:FF225R17ME7B11BPSA1

Tipo de IGBT:Parada de trinchera

Configuración:medio puente
Inversor lleno del puente de los módulos FS100R12N2T7B15BPSA1 1200V 100A 20mW de IGBT

Número de parte:FS100R12N2T7B15BPSA1

Configuración:Inversor lleno del puente

Corriente de la salida del Puerta-emisor:nA 100
MOSFET automotriz de los módulos 1200V CoolSiC de los módulos FF8MR12W2M1PB11BPSA1 IGBT de IGBT

Número de parte:FF8MR12W2M1PB11BPSA1

Voltaje:1200 V

Resistencia:mΩ 8
Módulos trifásicos automotrices del silicio del inversor IGBT de los módulos FP35R12N2T7BPSA2 de IGBT

Número de parte:FP35R12N2T7BPSA2

Peso:24g

Corriente máxima repetidor del dren:30A

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