Porcelana Módulos automotrices de IGBT

Módulos IGBT para automóviles FP40R12KT3 Módulo IGBT de tres fases Invertidor Montado en el chasis

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Módulos IGBT para automóviles FZ600R17KE4 Módulos IGBT Módulo IGBT 600A 1700V Montado en el chasis

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Módulos IGBT para automóviles FP50R12KT3 Módulo IGBT de tres fases Inversor 1200V 75A 280W Módulo montado en el chasis

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Módulos automotrices de los módulos 158W IGBT del silicio del módulo de poder NXH80T120L2Q0S2G IGBT

Número de parte:NXH80T120L2Q0S2G

Corriente de la salida del Puerta-emisor:nA 300

Paladio - disipación de poder:158 W
módulos automotrices trifásicos de los módulos 1200V 81W IGBT del módulo NXH25T120L2Q1PG IGBT de TNPC

Número de parte:NXH25T120L2Q1PG

Actual - colector (Ic) (máximo):25A

Configuración:Inversor trifásico
Módulos automotrices del módulo de poder de los módulos NXH80T120L2Q0S2TG de IGBT 1200V IGBT

Número de parte:NXH80T120L2Q0S2TG

Temperatura de empalme de funcionamiento mínima:-40°C

Tiempo de retraso de Turn−on:61ns
módulo trifásico automotriz del inversor IGBT de los módulos NXH40T120L3Q1PTG de 1200V IGBT

Número de parte:NXH40T120L3Q1PTG

Capacitancia entrada (Cies) @ Vce:7,753 N-F @ 20 V

Entrada:Estándar
Módulo de tres niveles automotriz 959W del inversor IGBT de los módulos NXH400N100H4Q2F2PG de IGBT

Número de parte:NXH400N100H4Q2F2PG

Tipo de IGBT:Parada de campo del foso

Configuración:Inversor de tres niveles
Inversor del puente de la parada de campo del foso del módulo de los transistores FF450R12ME4 IGBT medio

Número de parte:FF450R12ME4

Voltaje - avería del emisor del colector:1200 V

Configuración:Medio inversor del puente
Transistores del arsenal del Mosfet del módulo de poder MSCSM120HM16CT3AG 1200V 745W sic

Número de parte:MSCSM120HM16CT3AG

Carga total de la puerta:1602nC

Configuración:Canal N 4
del Mosfet 4N-Channel del arsenal MSCSM170HM23CT3AG del puente módulo de poder lleno del MOSFET sic 602W

Número de parte:MSCSM170HM23CT3AG

Disipación de poder TC = °C 25:602W (máximo)

Dren-fuente EN la resistencia (máxima):22.5mΩ
De IGBT de los módulos MSCSM120HM083CAG del puente transistores llenos automotrices del módulo de poder sic

Número de parte:MSCSM120HM083CAG

VGS:10V

Disipación de poder:1042W

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Módulos automotrices de IGBT

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del Mosfet 4N-Channel del arsenal MSCSM170HM23CT3AG del puente módulo de poder lleno del MOSFET sic 602W

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Microprocesador del circuito integrado

VN7008AJTR Chip de circuito integrado controlador de lado alto 96A interruptores de lado alto PowerSSO-16

ADG1433YCPZ Chip de circuito integrado iCMOSTM Switch 4.7 Ohm Commutadores analógicos CMOS industriales

LT6700CS6-1 Chip de circuito integrado de microenergía de bajo voltaje con doble comparador de 400 mV de referencia

CI de Ethernet

PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s de 6 carriles y 6 puertos PCI Express Gen 2 Switch PBGA-196

PEX8619-BA50BIG Ethernet IC de 16 vías y 16 puertos con interruptor PCI Express HSBGA-324 conmutador PCIe

Transmisores de transmisión de Ethernet PHY de alta velocidad