Porcelana Chip IC de memoria

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  Microprocesador S25FL064LABMFV010 64Mbit SPI - memoria IC del circuito integrado de la entrada-salida del patio

  Número de la parte:Las condiciones de las condiciones de ensayo se determinarán en función de las condiciones de ensayo

  Frecuencia del interfaz:108MHz/54MHz

  Anchura del ómnibus de datos:pedazo 8

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  Circuitos integrados electrónicos S25FL128LAGNFI010 128Mbit SPI - memoria IC de la entrada-salida del patio

  Número de la parte:S25FL128LAGNFI010

  Final de la bola de la ventaja:Matte Tin Plating

  Temporeros máximos del flujo:°C 260

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  Microprocesador MT29F2G08ABAEAWP-AATX del circuito integrado: E NAND Flash Memory automotriz IC

  Número de parte:MT29F2G08ABAEAWP-AATX: E

  Gama del voltaje de funcionamiento – VCC:2.7V-3.6V

  Tamaño de la memoria:2Gbit

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  Chips CI del chip de memoria 8-WDFN del microprocesador CY15B102QN-50LHXI 50MHz FRAM del circuito integrado

  Número de la parte:CY15B102QN-50LHXI

  Organización:256 k x 8

  Estilo de montaje:DSM/SMT

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  Microprocesador 250MHz del circuito integrado del chip de memoria CY7C1514KV18-250BZXI 165-FBGA de QDR II

  Número de la parte:CY7C1514KV18-250BZXI

  Tamaño de la memoria:72 Mbit

  Organizaciones:2 M x 36

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  Paquete de Chip Memory IC S25HS01GTDPMHA010 133 megaciclo 16-SOIC del circuito integrado

  Número de la parte:S25HS01GTDPMHA010

  Densidad:MBit 1024

  Ancho de banda del interfaz:66 MByte/s

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  Paquete de IC 24-FBGA de la memoria del chip CI S25HS512TFABHM010 512Mbit SPI 166MHz

  Número de la parte:S25HS512TFABHM010: las condiciones de los productos de la categoría S2

  Tecnología:FLASH - NI (SLC)

  Voltagem - Suministro:1.7V ~ 2V

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  Microprocesador S25FL064LABMFV011 64Mbit SPI - memoria IC del circuito integrado de la entrada-salida del patio

  Número de parte:S25FL064LABMFV011

  Frecuencia de reloj:108 megaciclos

  Voltaje - fuente:2.7V ~ 3.6V

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  Microprocesador MT29F4G08ABBDAHC-IT del circuito integrado: D 4Gbit NAND Flash Memory paralelo IC

  Número de parte:MT29F4G08ABBDAHC-IT: D

  Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 85°C (TA)

  Tecnología:FLASH - NAND

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  Del circuito integrado S70KL1283GABHB023 pseudo SRAM chips de memoria del microprocesador 24-FBGA

  Número de la parte:S70KL1283GABHB023

  Temperatura de funcionamiento:-40 °C ~ 105 °C (TA)

  Solo reloj terminado (CK):11 señales del autobús

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  S70KS1282GABHI023 circuito integrado Chip HyperBus Interface Memory Chips 24-VBGA

  Número de la parte:S70KS1282GABHI023

  Organización de la memoria:el 16M x 8

  Tamaño de la memoria:128Mbit

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  Chips de memoria del microprocesador 24-FBGA 200MHz 512Mbit del circuito integrado S80KS5123GABHM023

  Número de la parte:S80KS5123GABHM023

  Envase / estuche:FBGA-24

  Tiempo de acceso inicial:35 ns

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