Porcelana Chip IC de memoria

512Mbit SPI - pseudo SRAM memoria octal IC 24-FBGA de la entrada-salida 200MHz S80KS5123GABHI020

Número de la parte:S80KS5123GABHI020

Tamaño de la memoria:512 Mbit

Frecuencia de reloj máxima:200 MHz
Memoria IC 24-VBGA del microprocesador S27KS0642GABHM023 64Mbit HyperBus del circuito integrado

Número de la parte:S27KS0642GABHM023

Tecnología:PSRAM (pseudo SRAM)

La explosión leyó o escribe:30 mA
128Mbit microprocesador 24-VBGA pseudo SRAM del circuito integrado del chip de memoria S70KS1282GABHV023

Número de la parte:S70KS1282GABHV023

Ayuda del interfaz:1,8 V/3,0 V

Temperatura de funcionamiento (minuto):-40°C (TA)
Los ICs saltan la memoria superficial IC del soporte de S27KS0642GABHB023 200 megaciclo 35 ns 24-FBGA

Número de la parte:S27KS0642GABHB023

Tecnología:COPITA 38-nm

Dispositivos de almacenamiento:38-nm
Chip CI del chip de memoria VBGA24 del microprocesador S70KL1282GABHB030 128Mbit del circuito integrado

Número de la parte:S70KL1282GABHB030

Longitudes estalladas envueltas:128 bytes (64 relojes)

Explosión linear:MB 64
Memoria octal IC de la entrada-salida 200MHz de Chip Integrated Circuit S80KS2563GABHI023 256Mbit SPI

Número de la parte:S80KS2563GABHI023

Programa:50

El SDR leyó:50 MHz
pseudo SRAM microprocesador del circuito integrado de IC S80KS5122GABHI020 FBGA24 de la memoria de 200MHz

Número de la parte:S80KS5122GABHI020

Reloj de terminación única (CK):11 señales del autobús

Tecnología:COPITA 25nm
Memoria superficial IC del paquete S26HS512TGABHV003 512Mbit HyperBus del soporte 24-VBGA

Número de la parte:S26HS512TGABHV003

Humedad sensible:- ¿ Qué?

Escriba la duración de ciclo:1.7ms
Memoria superficial IC del paquete del soporte 24-VBGA del microprocesador S26HS01GTGABHV020 del circuito integrado

Número de la parte:S26HS01GTGABHV020

Memoria:1Gbit

Densidad:MBit 1024
Chip de memoria del microprocesador 64Mbit HyperBus del circuito integrado de IC S27KL0642GABHM023 de la memoria

Número de la parte:S27KL0642GABHM023

Tarifa de reloj máxima:200 MHz

Tiempo de acceso máximo (tACC):35 ns
del circuito integrado 64Mbit pseudo SRAM chip de memoria 200MHz del microprocesador S27KS0642GABHM020

Número de la parte:S27KS0642GABHM020

Tecnología:COPITA 38-nm

Ómnibus de datos:ómnibus de datos de 8 bits
chip de memoria del microprocesador FBGA24 del circuito integrado de IC S80KS5123GABHV023 de la memoria 512Mbit

Número de la parte:S80KS5123GABHV023

Interfaz:interfaz (octal) del xSPI

Gama de temperaturas de funcionamiento - (i) industrial:– °C 40 al °C +85

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Chip IC de memoria

Porcelana Chip IC de memoria

512Mbit SPI - pseudo SRAM memoria octal IC 24-FBGA de la entrada-salida 200MHz S80KS5123GABHI020

Memoria IC 24-VBGA del microprocesador S27KS0642GABHM023 64Mbit HyperBus del circuito integrado

128Mbit microprocesador 24-VBGA pseudo SRAM del circuito integrado del chip de memoria S70KS1282GABHV023

Los ICs saltan la memoria superficial IC del soporte de S27KS0642GABHB023 200 megaciclo 35 ns 24-FBGA

Chip CI del chip de memoria VBGA24 del microprocesador S70KL1282GABHB030 128Mbit del circuito integrado

Memoria octal IC de la entrada-salida 200MHz de Chip Integrated Circuit S80KS2563GABHI023 256Mbit SPI

pseudo SRAM microprocesador del circuito integrado de IC S80KS5122GABHI020 FBGA24 de la memoria de 200MHz

Memoria superficial IC del paquete S26HS512TGABHV003 512Mbit HyperBus del soporte 24-VBGA

Memoria superficial IC del paquete del soporte 24-VBGA del microprocesador S26HS01GTGABHV020 del circuito integrado

Chip de memoria del microprocesador 64Mbit HyperBus del circuito integrado de IC S27KL0642GABHM023 de la memoria

del circuito integrado 64Mbit pseudo SRAM chip de memoria 200MHz del microprocesador S27KS0642GABHM020

chip de memoria del microprocesador FBGA24 del circuito integrado de IC S80KS5123GABHV023 de la memoria 512Mbit

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