Número de la parte:S70KS1282GABHM023
Interfaz de memoria:HyperBus
Tecnología:Pseudo SRAM
Número de la parte:S80KS2563GABHI020
Longitudes estalladas envueltas:16 bytes
Más industrial:-40°C a +105°C
Número de la parte:S26HS512TGABHI013
Consumo actual de lectura/grabación estallado:22mA/25mA
Recurso seguro:µA 360
Número de la parte:S80KS5123GABHB023
Anchura del ómnibus de datos:pedazo 8
Organización:8 M x 8
Número de la parte:S27KL0643DPBHB023
Serie:HyperRAM™ kilolitro
Tipo de memoria:Las sustancias
Número de la parte:S70KS1283GABHI020
Densidad:512MB
Válvula de alimentación:1.7V ~ 2V
Número de parte:MT25QU512ABB8E12-0AAT
Voltaje:1.7V ~ 2V
Densidad:512MB
Número de parte:MT41K256M16TW-107 AUT: P
Tamaño de la memoria:4Gbit
Tipo de la memoria:Volátil
Número de la parte:S70KS1283GABHI023
Dispositivos de almacenamiento:25nm
Interfaz de memoria:SPI - Entrada-salida octal
Número de parte:MT29F1G08ABAFAH4-AAT: F
Anchura del ómnibus de datos:pedazo 8
Interfaz de la memoria:Paralelo
Número de parte:MTFC64GAZAQHD-AIT
Tamaño de la memoria:512 GB
Organización de la memoria:64G x 8
Número de parte:MTFC64GAZAQHD-AAT
Interfaz de la memoria:eMMC
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 105°C (TA)