Número de la parte:MT29F4G01ABAFD12-AAT: F
Código de FBGA:NW931
De Op. Sys. Temporeros.:-40C a +105C
Número de la parte:MT35XU01GBBA1G12-0SIT
Granulosidad uniforme del borrado del sector:128kB
Borrado del subsector:4KB
Número de la parte:MT29F1G08ABBFAH4-ITE: F
Tipo que mide el tiempo:Asíncrono
Densidad:1 GB
Número de la parte:MT29F4G08ABADAWP-AATX: D
Corriente de la fuente - máxima:35 mA
Anchura del ómnibus de datos:pedazo 8
Número de la parte:MT29F2G08ABBEAH4-AITX: E
Tipo de producto:Memoria flash NAND
Organización:256 M x 8
Número de la parte:MT29F2G16ABBGAH4-AIT: G
Tipo que mide el tiempo:Asíncrono
Voltaje de fuente - máximo:1,95 V
Número de la parte:MT29F4G16ABBFAH4-AAT: F
Densidad:4 GB
Código de FBGA:NX100
Número de la parte:MT29F2G08ABBGAH4-AAT: G
Envergadura:Anchura x8
Organización de la memoria:256Mx8
Número de la parte:MT29F2G16ABBGAH4-AAT: G
Tamaño:9m m x 11m m
Tipo de montaje:Montura de la superficie
Número de la parte:MT29F4G08ABAFAWP-AAT: F
Serie:MT29F
Estilo de montaje:DSM/SMT
Número de la parte:MT29F256G08CECEBJ4-37ITR: E
Anchura del ómnibus de datos:pedazo 8
Categoría de productos:FLASH NAND
Número de la parte:MT29F2G08ABAGAH4-AIT: G
Tipo de memoria:No volátiles
Formato de memoria:El flash.