Porcelana Chip IC de memoria

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  Memoria IC MT25QU512ABB1EW9-0SIT 512Mbit SPI microprocesador del circuito integrado de 133 megaciclos

  Número de la parte:MT25QU512ABB1EW9-0SIT

  Frecuencia del reloj:133 megaciclos

  Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:8ms, 2.8ms

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  Microprocesador MT29F1G08ABAFAWP-AAT del circuito integrado: Memoria paralela IC de F 1Gbit

  Número de la parte:MT29F1G08ABAFAWP-AAT: F

  Memoria:1Gbit

  Organización de la memoria:el 128M x 8

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  Microprocesador MT25QL512ABB8ESF-0SIT 512Mbit SPI del circuito integrado memoria IC de 133 megaciclos

  Número de la parte:MT25QL512ABB8ESF-0SIT

  Tipo de memoria:No volátiles

  Formato de memoria:El flash.

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  Chip CI MT29F8G08ABACAWP-AIT: Soporte paralelo de la superficie de IC de la memoria 48-TSOP de C 8Gbit

  Número de la parte:MT29F8G08ABACAWP-AIT: C

  Tipo que mide el tiempo:Asíncrono

  Organización:1 G x 8

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  Chip CI MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR: Memoria paralela IC 132-VBGA de E 267MHz 512Gbit

  Número de la parte:MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR: E

  Tipo que mide el tiempo:Asincrónico, síncrono

  Velocidad:533 MT/s

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  Circuitos integrados electrónicos MT28EW01GABA1LPC-0 SIT Memory IC 64-LBGA

  Número de la parte:MT28EW01GABA1LPC-0SIT

  Memoria:1Gbit

  Interfaz de memoria:En paralelo

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  Chip CI MT29F2G08ABAGAWP-AAT: Memoria Flash paralela IC de G 2Gbit 20NS 48-TSOP

  Número de la parte:MT29F2G08ABAGAWP-AAT: G

  Voltagem - Suministro:2.7V ~ 3.6V

  Temperatura de funcionamiento:-40 °C ~ 105 °C (TA)

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  Microprocesador MT29F2G16ABAGAWP-AIT del circuito integrado: G NAND Flash Memory IC 48-TFSOP

  Número de la parte:MT29F2G16ABAGAWP-AIT: G

  Bloque del borrado:2 ms

  Sistema del comando:ONFI NAND Flash Protocol

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  MT29F256G08AUCABH3-10ITZ: Un soporte de la superficie de IC de la memoria de 256Gbit 100MHz 100-LBGA

  Número de la parte:MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:

  Frecuencia del reloj:100 MHz

  Memoria:256Gbit

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  Microprocesador MT29F2T08EMLEEJ4-R del circuito integrado: Memoria paralela IC 132-VBGA de E 2Tbit

  Número de la parte:MT29F2T08EMLEEJ4-R: E

  Organización de la memoria:256G x 8

  Interfaz de memoria:En paralelo

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  Soporte superficial MT29F2T08EMLEEJ4-T del microprocesador 132-VBGA del circuito integrado: Memoria IC de E

  Número de la parte:MT29F2T08EMLEEJ4-T: E

  Anchura del ómnibus de datos:pedazo 8

  Organización:256 G x 8

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  Circuitos integrados electrónicos MT29F4T08EULEEM4-T: FLASH de E - NAND Memory IC

  Número de la parte:MT29F4T08EULEEM4-T: E

  Tipo de montaje:Montura de la superficie

  Temperatura de funcionamiento:0 °C ~ 70 °C

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