Porcelana Módulos automotrices de IGBT

Módulos automotrices de los transistores IGBT de los módulos FS770R08A6P2B 750V 450A 654W de IGBT

Número de parte:FS770R08A6P2B

Capacitancia entrada (Cies) @ Vce:80 N-F @ 50 V

Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
inversor trifásico automotriz de los módulos 650V de los módulos FS400R07A1E3 IGBT de 1250W IGBT

Número de parte:FS400R07A1E3

Actual - colector (Ic) (máximo):500 A

Capacitancia entrada (Cies) @ Vce:26000 PF @ 25 V
Inversor trifásico automotriz de la parada de campo del foso de los módulos FS660R08A6P2FLB de IGBT

Número de parte:FS660R08A6P2FLB

Poder - máximo:W 1053

Actual - atajo del colector:1 mA
Módulos automotrices del soporte IGBT del chasis de los transistores FS05MR12A6MA1B 1.2kV 200A

Número de parte:FS05MR12A6MA1B

Paquete:Módulo

Tecnología:Carburo de silicio (sic)
Soporte automotriz del chasis del arsenal 1.2kV 400A 20mW del Mosfet de los módulos FS03MR12A6MA1LB de IGBT

Número de parte:FS03MR12A6MA1LB

Configuración:Sixpack

Identificación:400A
1200V soporte del chasis de los módulos 20mW del MOSFET del carburo de silicio de los transistores FS03MR12A6MA1B

Número de parte:FS03MR12A6MA1B

SERIE:HybridPACK™

Tecnología:Carburo de silicio (sic)
Módulos automotrices del soporte IGBT del chasis de los módulos FS380R12A6T4LB 870W de IGBT

Número de parte:FS380R12A6T4LB

Configuración:3 independientes

Situación del producto:Activo
Módulo trifásico automotriz del inversor 400A IGBT de los módulos FS400R07A3E3 650V de IGBT

Número de parte:FS400R07A3E3

VCES:700 V

Tvj, de Op. Sys.:150°C
inversor trifásico de la parada de campo del foso del módulo de 1200V 380A FS380R12A6T4B IGBT

Número de parte:FS380R12A6T4B

Tipo de IGBT:Parada de trinchera

Configuración:Inversor trifásico
Inversor trifásico automotriz de la parada de campo del foso del módulo de los módulos FS820R08A6P2B IGBT de IGBT

Número de parte:FS820R08A6P2B

Voltaje de bloqueo:750V

Aislamiento de DC 1sec:4.2kV
Módulos IGBT automotrices A2U12M12W2-F2 Topología de 3 niveles 1200V SiC Power MOSFET Power Module

Número de parte:A2U12M12W2-F2

Paquete:Módulo

Capacitancia entrada (Cies) @ Vce:7 nF a 800 V
Módulo de potencia Fourpack Topología A2F12M12W2-F1 SiC Potencia MOSFET Módulo IGBT Puente completo

Número de parte:A2F12M12W2-F1

Vr - Voltaje inverso:1200 V

Vgs - Tensión puerta-fuente:-10 V a 22 V

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1200V soporte del chasis de los módulos 20mW del MOSFET del carburo de silicio de los transistores FS03MR12A6MA1B

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